- 产 地美洲 美国
- 品 牌香港电子
- 型 号SU-8 2000 系列/SU-8 3000 系列
- 类 型进口光刻胶
SU-8 2000 and 3000 series Resists
KMPR 1000 Photoresist
PMGI and LOR Resists
PMMA Resist
Ancillaries
MicroSpray
MEMS
DRIE
Electroplating
Permanent Structures
High aspect ratio with vertical sidewalls
High chemical and plasma resistance
Greater than 100 µm film thickness in a single coat
Excellent adhesion to metals
Wet strips in conventional strippers
Excellent dry etch resistance
Metal lift-off processing
Airbridge fabrication
Release layers
不会混用时，过涂有光刻胶成像
双层堆叠的TMAH或KOH开发单步发展
热稳定性高：TG〜190℃
快速，干净地消除在常规Resist stripper
启用子.250微米微米的双层光阻成像
可实现高产量，很厚的（>3µm）的金属剥离处理
高分辨，可用于 <0.25 μm Lift-off 工艺
undercut 结构可控，溶解速率易于调节
在Si，NiFe，GaAs，nP和其它III-V材料上有良好的粘附力
与 g-， h-，i-line，DUV，193 nm 和 E-beam 光刻胶等兼容
良好的耐热稳定性
去胶容易，剥离干净
电子束抗蚀剂：可用于电子束，X线，DUV曝光
特征尺寸：<0.1μm，多种分子量和固含量可选
与多数基底的粘附力非常好，亦适合多层涂覆工艺
分子量大小：495K,950K，其它可选
溶剂： 苯甲醚A或氯苯C
固含量：2%~11%，或其它可选。
多模传输(830-860 nm)
单模传输 (1300-1500 nm, 短路徑)
板级光互连
相容於目前制程设备
可使用微影定义图形, 水系显影剂, 支援1:1深宽比和10um解析力
对可见光及进红外光有高穿透性
低光损达 0.05 dB/cm at 850 nm
低双折 射<0.0001 at 850 nm
优越的环境及湿度可靠性
高机械强度
不需要光罩微影可制作的三维结构
可涂布在不规则面的底材上
可图案化做绝缘和隔离层使用
蚀刻遮罩和其它应用
低溫固化 (<150° C)
光学透明性佳
优异热稳定性
高耐化性
低杨氏系数
减少材料浪费
MicroChem / Nippon Kayaku - 光刻胶参数表
产品简介
Microchem的产品分类: Application Note (pdf)
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| SU-8 2000 系列 - 厚度范围，单层涂胶厚度为 0.5 to > 200 μm - 高深宽比：>10:1 - 更多挥发性溶剂，与传统去边工艺兼容 - 降低了极性溶剂含量减小表面张力 - 表面活性成分，改善涂覆效果 - 多用于MEMS，钝化层应用LED 微流以及光电子器件制作 |  |
SU-8 3000 系列
SU-8 3000常用于性结构制作，较SU-8 2000具有更好的基底粘附力，更不易于在工艺过程中产生内应力积累。
| 高深宽比：>5:1。常用于光电器件，MEMS芯片制作，以及作为芯片绝缘、保护层使用。 相关溶液： 稀释剂：SU-8 Thiner, 显影液：SU-8 Developer 去胶剂：Remover PG， 增附剂：OmniCoat
10µm features in 50µm SU-8 3000 (contact expose) | 
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 內應力對比圖 |  熱穩定性和機械性能對比 |
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KMPR系列
KMPR为负性光刻胶，具有与SU-8光刻胶相同的侧壁效果与深宽比( >5:1 )，易于去除。常用于MEMS,电铸，DRIE等。
相关溶液：
去胶：Remover PG
显影：碱性 TMAH 2.38%，或有机 SU-8 developer
Material uses: | Material attributes: |
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| Plating | Permanent | Deep Etch | |||||
 Plating (100 µM tall Ni posts, KMPR removed) |  Electroformed Ni gear after stripping KMPR Source: Univ. of Birmingham |
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PMGI & LOR 底层去阻
PMGI與LOR去阻，可提高生產量。金屬剝離處理中的各種從數據存儲和無線芯片的應用，以微機電系統。使用下面的雙層堆疊光致抗蝕劑，PMGI和LOR延伸剝離處理的限制之外，其中單層抗蝕策略可以達到。這包括非常高的分辨率金屬（4µm微米）的金屬化。這些獨特的材料，可在各種處方，以滿足幾乎所有客戶的需求。 PMGI与LOR抵抗使产量高，金属剥离处理中的各种从数据存储和无线芯片的应用，以微机电系统。使用下面的双层堆叠光致抗蚀剂，PMGI和LOR延伸剥离处理的限制之外，其中单层抗蚀策略可以达到。这包括非常高的分辨率金属（4µm微米）的金属化。这些独特的材料，可在各种，以满足几乎所有客户的需求。
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Bi-Layer Lift-Off Process Lift-Off: An enab领, additive lithographic process
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GaAs Modulator with Al airbridge |
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| PMMA正性抗蚀剂是基于特殊牌号聚甲基丙烯酸甲酯的目的是提供高对比度，高分辨率的电子束，远紫外线（220-250nm的）和X-射线光刻工艺。此外，聚甲基丙烯酸甲酯通常被用作保护层中的III-V器件晶片减薄的应用程序。标准产品包括广泛的氯苯配制的膜厚，或更安全的溶剂苯甲醚495000和950000的分子量（MW）。另外50,000，100,000，200,000和220万兆瓦可根据要求提供。 共聚物的抗蚀剂是基于PMMA的〜8.5％的甲基丙烯酸的混合物。共聚物甲基丙烯酸甲酯(8.5)MAA 常用于与聚甲基丙烯酸甲酯组合在双层剥离抗蚀剂工艺，其中的每一个光盘的大小和形状的独立控制抗蚀剂是必需的层。标准的共聚物的抗蚀剂被配制在更安全的溶剂乳酸乙酯和可在一个宽范围的薄膜厚度的。此外，甲基丙烯酸甲酯（17.5）MAA共聚物的抗蚀剂可根据要求提供。 |
应用于 PMMA & Ccopolymer Resists （MMA (8.5)MAA)
T-gate resulting from PMMA/Copolymer bilayer resist stack.
| 相关溶液: 显影液 MIBK：IPA 用途： 电子束光刻，晶圆减薄，T-Gate等。
PMMA & Copolymer Resists: PMMA Resist Data Sheet |  |
应用
Top Layer Construction Combined Layer Construction
LightLink Optical Waveguide Materials 光波导材料 LightLink™产品线 是专为软或硬基板上制造平面高分子光内连线而设计开发. 本类矽氧烷材料展现光学特性和对热及湿气的稳定性, 因此极为适合应用在光波导上. 对於其他有光学特性及环境稳定性需求的应用亦有极高潜力. 产品应用: 材料特色:
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| PriElex® Jettable Polymeric Materials
PriElex®是一个新的具有功能性油墨的高分子材料，可用喷墨印刷的方式来制作电子元件。PriElx聚合油墨设计及喷墨特性的优化，可适用於无光罩式微影、快速成型、和乾净非接触式印刷。比起其它一般光阻材料PriElx更为了喷墨性能，例如粘度、蒸发速率、表面张力、等待时间，耐热稳定性等来做特别开发。 MicroChem目前可提供XPPriElx SU-8 1.0，是一种可喷墨式的SU-8光阻材料，可用喷墨方式来制作单层或多层的结构。配合FUJIFILM Dimatix 材料喷墨机使用，可应用在微结构制造上。 目前还有其它功能性喷墨材料在研发中。
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| PriElex® SU-8 材料用途: | PriElex® SU-8 材料屬性: | |
Continuous Printed Patterns
PriElex® SU-8 Direct Write: 5 passes, linear scan
| Additive Via Fabrication
Via pattern created with additive inkjet process |
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