光刻胶

LOR
双层Lift-off专用光刻胶。

高分辨，可用于<0.25μm lift-off 工艺
适合剥离金属厚度<20nm - >5μm.
undercut 结构可控，溶解速率易于调节
在Si, NiFe, GaAs, InP和其它III-V材料上有良好的粘附力.
与g-, h-, i-line, DUV, 193nm和E-beam光刻胶等兼容.
良好的耐热稳定性